碳化矽的生（shēng）產要點

2012年2月22日 - 碳化矽半導體晶片產業化（huà）發展可以有力地支持軍用大功率電子器件的研發和生產,為我國軍備安全解除後顧（gù）之憂,並有（yǒu）力提高（gāo）山東省在國家軍備服務中的地位（wèi）,2020年3月25日 - 北極星儲能網訊:北極星儲能網獲悉,科技部近日印（yìn）發國家專項2020年度項目申報指南,其中"戰略性先進電子材料"專項包含"功率（lǜ）碳化矽芯片（piàn）和器件...

2020年3月（yuè）18日（rì） -  本報訊 美國StarfireSystems公司與科萊恩(Clariant)股（gǔ）份有限公司合作生產（chǎn）了Starblade碳化矽陶瓷刹車製動盤。 這種碳-陶瓷製動盤通過改善其,2018年11月14日 - 碳化矽密封件是（shì）防止流體或固體微粒從相鄰結合麵間泄漏以及防止（zhǐ）外（wài）界雜質如灰塵與水分等侵入機器設備內部的零部件的材料或零件

2018年10月4日 - 主要（yào）的原因出在碳化矽晶圓的製造和產（chǎn）能（néng）的不順暢。 由於物理的特性,碳化矽材料...看好未來需求中國定調碳化矽為國家（jiā）產業 目前（qián）中國已組成中國寬禁帶功率半導體,重結晶碳化矽耐火磚製造工藝要點:(1)級（jí）配必須能達到堆集密度,泥料成型壓力必須（xū）保（bǎo）證耐火磚的密度足夠大。(2)燒成的耐火磚必須采用（yòng）與空氣隔絕的可（kě）達2500℃高溫的...

2018年7月11日 - 器件技（jì）術國內外發展現狀與趨勢進行了梳理,並提出了我國進一步發展和對策...碳化（huà）矽(SiC)電力電子器件是指采用第三代半導體材料SiC製造（zào）的一種寬禁帶,2019年9月25日 - 露笑科技:擁有碳化矽長晶（jīng）設備。近日公司公告（gào）,將發展轉向第三（sān）代半導體材料碳化矽領域（yù）。天（tiān）通股份:繼稀土永（yǒng）磁、藍（lán）寶石、壓電晶體之後,又迸（bèng）行了第三代...

2015年（nián）3月7日 - 摘要碳化矽具（jù）有優（yōu）越的材料性（xìng）能, 在高溫、 高頻、 大（dà）功率器（qì）件和集成電路製造領域...研究- j'(1)SiCBJT s的重要器（qì）件參數厄利電壓的溫度特性; (2)SiC,2019年6月13日 - 其（qí）中,單晶材料是碳化矽功率半導體技術和產業的基礎,主要技術指標有單晶直徑、微管密度、單晶電阻率、表麵粗糙（cāo）度、翹曲度等;外延材料是（shì）實現器件（jiàn）製造的...

2019年2月22日 - 這標（biāo）誌著今後國（guó）內各大芯（xīn）片企業生產5G通（tōng）信芯片,有望用上國（guó）產材料（liào）。 碳化矽（guī）是製造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底（dǐ）材料,也是發展（zhǎn）第三代半導體產業的,2017年7月7日 - 本文主要研究 器件的製作工（gōng） 藝,並對SiC材料的工藝難點進行了（le）探索。 研究了4H-SiC材料的關鍵加工工（gōng）藝之一（yī）——刻蝕（shí）工藝。采（cǎi）用感應耦合（hé）等離 (Inducti...

發展（zhǎn）研發與生產基地、變形加工基地及高品質（zhì）板等生（shēng）產基地（dì）,促進研發產品向高品（pǐn）質...我市當前碳化矽產品處於價值鏈低（dī）端,應拓寬（kuān）產業鏈深加（jiā）工、高附加值碳化矽製品的終端,2017年3月13日 - 主要包括6英寸/8英（yīng）寸/12英寸集成電路生（shēng）產（chǎn）線所用的光刻機、刻（kè）蝕機、離子注（zhù）入機（jī）...(矽單（dān）晶、拋（pāo）光片、外延片、絕（jué）緣矽、鍺矽)及化合物（wù）半導體材料,藍寶石和...

其中,單晶材料是碳化矽功率半（bàn）導體技術和產業的（de）基礎,主要技術指標有單晶直徑、微管密度、單晶電阻率、表麵粗糙（cāo）度（dù）、翹曲度等;外延材料是實現器件（jiàn）製造的關鍵,主要技術（shù）指標,2020年3月31日 - 您好（hǎo）,公司年報提到發展碳化矽,請（qǐng）問是用在哪個方向?汽車（chē）碳化矽功（gōng）率模塊?充電樁?謝謝。 董秘回答(海特高新SZ002023): 您好,產品可應用於電力電子如...

12頁 發布時間: 2018年05月03日,碳化矽 RSD ICP刻蝕（shí） 離子注入 歐姆接觸... 【摘要】:碳化矽(Si C)是新型（xíng）寬禁帶半導（dǎo）體材料,具有寬（kuān）帶隙（xì）...研究了4H-Si C材料的（de）關鍵加工工藝（yì）之一——刻蝕工藝。

2020年5月（yuè）4日 - (GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三階段以碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)等（děng）寬禁帶半導體原料為主,成為支撐信息、能源、交通、先進製造、國防等（děng）領域發（fā）展的新,2017年10月12日 - 一、項目名稱:碳化矽及超精粉（fěn）生產項目 二、項目概（gài）況: 碳化矽（guī）是一種性能、用途極其廣泛的（de）工程材料,已被應用於煉鐵工業、有

2020年5月26日 - 3.芯片封裝和測試的技術要點 講師介紹: 魏煒,基本（běn）半導體技術營銷總監,畢業...製造工藝（yì）、封裝測試（shì）、驅動應用（yòng）等產（chǎn）業全鏈條,先後推出全電流電壓等（děng）級碳化矽（guī）,2020年2月14日 - 主要的原因出（chū）在碳化矽（guī）晶圓的製造和產能的不順暢。 文章（zhāng）轉載自:化合物（wù）半導體市場 相較於矽(Si),采用碳化矽(SiC)基材的元件性能優（yōu）勢十分的顯著,尤其...

一（yī）、企業(一)基本（běn）信（xìn）息、碳化（huà）矽功率器件生產基地、銷售區域、競爭對手及市場地位 二、企業(一)碳化矽功率器（qì）件產品規格、參數及市場應用（yòng） 三、2016-2026年企,製造MgO-SiC-C不燒磚的原（yuán）料是製磚鎂砂,SiC、C粉,結合 劑為瀝青、酚醛樹脂等（děng）。將製磚鎂砂破碎4~1mm作骨料,磨 碎小於0. 088mm的細粉作基質（zhì）。將小（xiǎo）於0...

2020年3月31日 - 董秘回答(海（hǎi）特高新(13.770, -0.37, -2.62%)SZ002023): 您好,產品可應用於（yú）電力電子如快充、新源源等領域,謝謝您的關注,2013年7月29日,我廳（tīng）擬受理株洲（zhōu）南車時代電氣股份有限公司功率半導體實驗室暨...建成碳化矽電力電子器件核心芯片的生產線,形成年產1萬片4英寸(可擴充到6英寸)碳化...

2019年8月2日 - 新能源汽車是我國各級政府支持的碳化（huà）矽功率器件應用領域。碳化矽功率器件（jiàn）...這（zhè）使得製造（zào）高壓碳化矽器件非常困難,而外延層的缺陷密度又製約了碳化矽,2019年2月22日 - 天富熱電(600509)公（gōng）司是（shì）國內規模化生產碳化矽晶片的企業,通過與中科院物理研究所（suǒ）合作,成立北京天科合達藍（lán）光半導體有限公司,天富熱電(600509)持股40.8%...

2020年2月15日 - 其中,單晶材料是（shì）碳（tàn）化矽功率半導體技術和產業的基礎,主要技術指標有單晶直徑、微管（guǎn）密度、單晶電阻率、表麵粗糙度、翹曲度等（děng）;外延材料是實現器件製（zhì）造的,目前（qián）3D打（dǎ）印碳化矽(SiC)陶瓷多以SiC陶瓷粉末作為材料來打印。然而由於碳化矽熔點太高、且不易鑄造和機械加工等缺點,使其作為3D打印材（cái）料來（lái）打印陶瓷器件,特別是複雜器件...